| BVCBO为23V且fT为7GHz 30叉指微波功率SiGe HBT |
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| 引用本文： | 熊小义,张伟,许军,刘志宏,陈长春,黄文韬,李希有,钟涛,钱佩信. BVCBO为23V且fT为7GHz 30叉指微波功率SiGe HBT[J]. 半导体学报, 2004, 25(10): 1238-1242 |
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| 作者姓名： | 熊小义 张伟 许军 刘志宏 陈长春 黄文韬 李希有 钟涛 钱佩信 |
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| 作者单位： | 清华大学微电子学研究所,北京,100084;清华大学微电子学研究所,北京,100084;清华大学微电子学研究所,北京,100084;清华大学微电子学研究所,北京,100084;清华大学微电子学研究所,北京,100084;清华大学微电子学研究所,北京,100084;清华大学微电子学研究所,北京,100084;清华大学微电子学研究所,北京,100084;清华大学微电子学研究所,北京,100084 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划) |
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| 摘 要： | 在125mm标准CMOS工艺线上,对标准CMOS工艺经过一些必要的改动后,研制出了多叉指功率SiGe HBT.该器件的BVCBO为23V.在较大IC范围内,电流增益均非常稳定.在直流工作点IC=40mA ,VCE=8V测得fT为7GHz,表现出较大的电流处理能力.在B类连续波条件下,工作频率为3GHz时,测得输出功率为31dBm,Gp为10dB,且PAE为33.3%.测试结果表明,单片成品率达到了85%,意味着该研究结果已达到产业化水平.
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| 关 键 词： | SiGe HBT fT 功率管 |
A 30 Finger Microwave Power SiGe HBT with 23V BVCBO and fT 7GHz |
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| Abstract: | With modified necessary steps for SiGe implementation,multi-finger power SiGe HBT devices are fabricated in a CMOS process line with 125mm wafer.The devices show quite high BVCBO 23V.The current gain is very stable over a wide IC.The fT is up to 7GHz at a DC bias of IC=40mA and VCE=8V,which show high current handling capability.Under continuous conditions in B operation,the 31dBm output power,10dB Gp,and 33.3% of PAE are obtained at 3GHz.Based on extensive tests,it has been demonstrated that the yield on a wafer is up to 85%,which means that the research results are capable of commercialization. |
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| Keywords: | SiGe HBT fT power |
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