| Ni诱导非晶SiGe薄膜结晶 |
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| 引用本文： | 段鹏,屈新萍,刘萍,徐展宏,茹国平,李炳宗.Ni诱导非晶SiGe薄膜结晶[J].半导体学报,2004,25(11). |
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| 作者姓名： | 段鹏 屈新萍 刘萍 徐展宏 茹国平 李炳宗 |
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| 作者单位： | 复旦大学微电子学系,ASIC与系统国家重点实验室,上海,200433 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，复旦大学校科研和教改项目，教育部留学回国人员科研启动基金 |
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| 摘 要： | 采用Ni诱导结晶的方法在氧化硅衬底上制备多晶SiGe薄膜.通过X射线衍射(XRD)、俄歇电子深度分布谱(AES)等测试方法对获得的多晶SiGe薄膜特性进行了表征,并对退火气氛中氧的存在对非晶SiGe结晶的影响进行了研究.研究表明Ni的参与可以显著降低非晶SiGe薄膜的结晶时间以及结晶温度;退火气氛中氧的存在对非晶SiGe结晶有明显阻碍作用;采用先在高纯N2(99.99%)气氛下快速热退火(RTA)预处理,再在普通退火炉中长时间退火的方法可以明显改善非晶SiGe薄膜的结晶情况.
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| 关 键 词： | 金属诱导结晶 非晶SiGe薄膜 固相结晶 |
Ni Induced Crystallization of Amorphous SiGe |
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