| 用MOCVD方法制备的GaN1-xPx三元合金的喇曼与红外光谱 |
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| 引用本文： | 张开骁,沈波,陈敦军,张荣,施毅,郑有炓,李志锋,陆卫. 用MOCVD方法制备的GaN1-xPx三元合金的喇曼与红外光谱[J]. 半导体学报, 2004, 25(1) |
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| 作者姓名： | 张开骁 沈波 陈敦军 张荣 施毅 郑有炓 李志锋 陆卫 |
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| 作者单位： | 南京大学物理系,南京,210093;中国科学院上海技术物理研究所,红外物理国家重点实验室,上海,200083 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划)，国家自然科学基金，国家高技术研究发展计划(863计划) |
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| 摘 要： | 采用光辐射加热低压金属有机化学气相淀积(LP-MOCVD)方法在蓝宝石衬底上生长了高P组分的GaN1-x-Px三元合金薄膜,通过喇曼光谱和红外反射谱技术研究了GaN1-xPx合金中P掺杂所引入的振动模.与非掺P的GaN相比,在GaN1-xPx合金的喇曼谱和红外反射谱中分别观测到了多个由P所引入的振动模,文中将它们分别归因于Ga-P键振动引起的准局域模、间隙模以及P掺入造成的局部晶格无序激活的振动模.
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| 关 键 词： | GaN1-xPx MOCVD 喇曼 红外反射 |
Raman and Infrared Spectra Study of GaN1-xPx Ternary Alloys Grown by MOCVD |
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