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稀磁半导体(Ga1-xFex)As的磁性及稳定性
引用本文:危书义,闫玉丽,王天兴,夏从新,汪建广.稀磁半导体(Ga1-xFex)As的磁性及稳定性[J].半导体学报,2004,25(12):1586-1590.
作者姓名:危书义  闫玉丽  王天兴  夏从新  汪建广
作者单位:河南师范大学物理与信息工程学院,新乡,453007;河南师范大学物理与信息工程学院,新乡,453007;河南师范大学物理与信息工程学院,新乡,453007;河南师范大学物理与信息工程学院,新乡,453007;河南师范大学物理与信息工程学院,新乡,453007
基金项目:河南省高校青年骨干教师资助项目,河南省教育厅自然科学基金
摘    要:运用第一性原理下的LMTO-ASA方法研究稀磁半导体(Ga1-xFe x )As( x =1,1/2,1/4和1/8)的电子结构、磁性及其稳定性.计算了Fe掺杂浓度的变化对(Ga1-xFe x )As的磁性及稳定性的影响.

关 键 词:稀磁半导体  电子能带计算  磁性  稳定性

Magnetism and Stability of Diluted Magnetic Semiconductor (Ga1-xFe x )As
Wei Shuyi,Yan Yuli,Wang Tianxing,Xia Congxin,Wang Jianguang.Magnetism and Stability of Diluted Magnetic Semiconductor (Ga1-xFe x )As[J].Chinese Journal of Semiconductors,2004,25(12):1586-1590.
Authors:Wei Shuyi  Yan Yuli  Wang Tianxing  Xia Congxin  Wang Jianguang
Abstract:Magnetism and the stability of (Ga1-xFe x )As are investigated using the first principles LMTO-ASA band calculation by assuming supercell structures.Four concentrations of the 3d impurities are studied ( x =1,1/2,1/4,and 1/8).The results show the effect of varying Fe concentration on the magnetic and stable properties.
Keywords:diluted magnetic semiconductor  electronic band calculation  magnetism  stability
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