| 对GaN薄膜不同腐蚀方法的腐蚀坑的研究 |
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| 引用本文： | 陆敏,常昕,方慧智,杨志坚,杨华,黎子兰,任谦,张国义,章蓓. 对GaN薄膜不同腐蚀方法的腐蚀坑的研究[J]. 半导体学报, 2004, 25(11) |
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| 作者姓名： | 陆敏 常昕 方慧智 杨志坚 杨华 黎子兰 任谦 张国义 章蓓 |
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| 作者单位： | 1. 北京大学人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京,100871;北京大学宽禁带半导体研究中心,北京,100871;北京大学物理学院凝聚态物理和材料物理研究所,北京,100871
2. 北京大学医学部生物物理系电镜中心,北京,100083 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，国家高技术研究发展计划(863计划)，国家重点实验室基金 |
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| 摘 要： | 用Thomas Swan公司的MOCVD系统在蓝宝石(0001)面上生长了高质量的GaN薄膜.采用多种化学腐蚀方法,如熔融KOH,H3PO4与H2SO4混合酸和HCl气相腐蚀法,利用SEM及TEM技术对GaN薄膜中的位错进行了研究.SEM显示在GaN薄膜相同位置处,不同腐蚀法所得的腐蚀坑的形态和密度有明显差别.结果表明HCl气相腐蚀可以显示纯螺位错、纯刃位错和混合位错;H3PO4与H2SO4混合酸腐蚀可以显示纯螺位错和混合位错;而熔融KOH腐蚀仅能显示纯螺位错.
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| 关 键 词： | 氮化镓 腐蚀坑密度 穿透位错 |
Etch-Pits of GaN Films with Different Etching Methods |
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| Lu Min,Chang Xin,Fang Huizhi,Yang Zhijian,Yang Hua,Li Zilan,REN Qian,ZHANG Guoyi,Zhang Bei. Etch-Pits of GaN Films with Different Etching Methods[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2004, 25(11) |
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| Authors: | Lu Min Chang Xin Fang Huizhi Yang Zhijian Yang Hua Li Zilan REN Qian ZHANG Guoyi Zhang Bei |
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| Abstract: | High quality GaN films on (0001) sapphire substrates were grown by a commercial MOCVD system (Thomas Swan Corp.).The etch pits and threading dislocations(TDs) in GaN films have been studied by chemical etching methods such as mixed acid solution (H3PO4∶H2SO4=1∶3) and molten KOH,HCl vapor etching method,scanning electron microscope (SEM) and transmission electron microscope(TEM).SEM images of the same position of GaN films with HCl vapor etching and wet etching methods show notably different densities and shapes of etching pits.The results indicate that HCl vapor etching can show pure edge,pure screw and mixed TDs,mixed acid solution can show pure screw and mixed TDs and molten KOH wet etching only can show pure screw TDs. |
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| Keywords: | GaN EPD TD |
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