| 硅衬底上PZT薄膜的制备及其特性分析 |
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| 引用本文： | 杨莺,陈治明,赵高扬.硅衬底上PZT薄膜的制备及其特性分析[J].半导体学报,2004,25(4). |
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| 作者姓名： | 杨莺 陈治明 赵高扬 |
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| 作者单位： | 1. 西安理工大学电子工程系,西安,710048
2. 西安理工大学材料物理与化学系,西安,710048 |
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| 摘 要： | 利用溶胶-凝胶提拉技术在低阻硅衬底上以钛酸铅(PT)作缓冲层,成功地制备了锆钛酸铅(PZT)高介电常数介质膜,其锆钛组分比为45∶55.研究了薄膜结晶状态与制备条件的关系及相应的介电、铁电特性.结果表明,用这种方法制备的PZT薄膜在800℃退火15min晶化已相当完善,以(110)为择优取向;这些样品的结晶尺度根据衍射峰的半高宽估计为14～25nm左右;采用Sawyer-Tower电路和LCR电桥测试法获得的结果表明,经过800℃退火15min的PZT样品,其剩余极化强度为47.7μC/cm2,矫顽场强为18kV/cm,介电常数为158,损耗因子为0.04～0.055.
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| 关 键 词： | 溶胶-凝胶 锆钛酸铅 钙钛矿相 电滞回线 |
Preparation and Characteristics of PZT Films on Si Substrates |
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