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| 具有复合埋层的新型SIMON材料的制备 | |
| 引用本文： | 易万兵,陈猛,张恩霞,刘相华,陈静,董业民,金波,刘忠立,王曦.具有复合埋层的新型SIMON材料的制备[J].半导体学报,2004,25(7). |
| 作者姓名： | 易万兵 陈猛 张恩霞 刘相华 陈静 董业民 金波 刘忠立 王曦 |
| 作者单位： | 1. 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,离子束重点实验室,上海,200050 2. 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,离子束重点实验室,上海,200050;上海新傲科技有限公司,上海,201821 3. 香港中文大学电子工程系,香港 4. 中国科学院半导体研究所,北京,100083 |
| 摘 要： | 采用氮氧共注入方法制备了新型的SIMON(separation by implanted oxygen and nitrogen)SOI材料.采用不同的制备方法分别制作出样品并进行了结构测试和分析,发现SIMON材料的结构和质量对注入条件和退火工艺非常敏感.并对各种氮氧复合注入技术做了分析和比较,发现氮氧分次注入可以得到更好的结构和性能. |
| 关 键 词： | SIMON SOI 氮氧共注入 |
Comparison of Fabrication Techniques of SIMON Materials with Buried Multi-Layers |
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