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| 一种高性能CMOS带隙电压基准源设计 | |
| 引用本文： | 朱樟明,杨银堂,刘帘曦,朱磊. 一种高性能CMOS带隙电压基准源设计[J]. 半导体学报, 2004, 25(5) |
| 作者姓名： | 朱樟明 杨银堂 刘帘曦 朱磊 |
| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子研究所,西安,710071 |
| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划) |
| 摘 要： | 采用一级温度补偿和电阻二次分压技术设计了一种高性能CMOS带隙电压基准源电路,其输出电压为0.20～1.25V,温度系数为2.5×10-5/K.该带隙电压基准源电路中的深度负反馈运算放大器为低失调、高增益的折叠型共源共栅运算放大器.采用Hspice进行了运算放大器和带隙电压基准源的电路仿真,用TSMC 0.35μm CMOS工艺实现的带隙基准源的版图面积为645μm×196μm. |
| 关 键 词： | CMOS 带隙电压基准源 二次分压 温度补偿 |
Super Performance CMOS Band-Gap Voltage Reference |
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