| Cu/Zr-Si-N/Si金属化系统制备及退火气氛对其热稳定性的影响 |
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| 引用本文： | 王颖,朱长纯,宋忠孝,刘君华.Cu/Zr-Si-N/Si金属化系统制备及退火气氛对其热稳定性的影响[J].半导体学报,2004,25(12). |
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| 作者姓名： | 王颖 朱长纯 宋忠孝 刘君华 |
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| 作者单位： | 1. 西安交通大学电子与信息工程学院,西安,710049
2. 西安交通大学金属材料强度国家重点实验室,西安,710049 |
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| 摘 要： | 采用磁控溅射法在n型〈111〉晶向的Si衬底上形成了Zr-Si-N薄膜及Cu/Zr-Si-N/Si金属化系统.将Cu/Zr-Si-N/Si金属化系统样品分别在真空及H2/N2(体积比为1∶9)气氛中800℃退火1h.对Zr-Si-N 薄膜和退火后的金属化系统样品进行X射线衍射、X射线光电子能谱、扫描电镜、薄层电阻率及俄歇电子能谱测试与分析.结果表明,Zr-Si-N阻挡层是以ZrN晶体与非晶相Si3N4或其他Si-N化合物的复合结构形式存在.经过两种气氛退火后的样品均没有发生阻挡层失效,但与真空退火相比,H2/N2退火气氛由于不存在残余O2的作用而表现出较低的Cu膜薄层电阻率及较好的Cu/Zr-Si-N/Si界面状态.
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| 关 键 词： | 扩散阻挡层 金属化 退火 |
Preparation and Effect of Annealing Ambient on Thermal Stability of Cu/ZrSiN/Si Structure |
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| Keywords: | |
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