| ICP刻蚀参数对SOI脊形波导侧壁粗糙度的影响 |
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| 引用本文： | 樊中朝,余金中,陈少武,杨笛,严清峰,王良臣.ICP刻蚀参数对SOI脊形波导侧壁粗糙度的影响[J].半导体学报,2004,25(11). |
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| 作者姓名： | 樊中朝 余金中 陈少武 杨笛 严清峰 王良臣 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所,集成光电子国家重点联合实验室,北京,100083 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，国家重点基础研究发展计划(973计划)，国家高技术研究发展计划(863计划) |
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| 摘 要： | 研究了以C4F8/SF6/O2为刻蚀气体,利用ICP刻蚀技术制作SOI脊形光波导过程中,刻蚀参数与侧壁粗糙度的关系.实验结果表明偏压、气体比例、压强是影响侧壁粗糙度的关键参数,在低偏压、低C4F8/SF6比和较高压强下更容易获得低粗糙度的侧壁.通过优化刻蚀参数,获得了侧壁粗糙度和传输损耗相对较低的SOI脊形波导.
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| 关 键 词： | SOI ICP 粗糙度 脊形光波导 |
Influence of Etching Parameters on Sidewall Roughness of Silicon Based Waveguide Etched by Inductively Coupled Plasma |
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