| 重氮掺杂GaP中NN3束缚激子与声子的耦合 |
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| 引用本文： | 高玉琳,吕毅军,郑健生,张勇,A.Mascarenhas,辛火平,杜武青. 重氮掺杂GaP中NN3束缚激子与声子的耦合[J]. 半导体学报, 2004, 25(8) |
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| 作者姓名： | 高玉琳 吕毅军 郑健生 张勇 A.Mascarenhas 辛火平 杜武青 |
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| 作者单位： | 厦门大学物理系,厦门,361005;美国可再生能源实验室,戈尔登;美国加利福尼亚大学电机工程系,加利福尼亚 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，厦门大学校科研和教改项目 |
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| 摘 要： | 通过光致发光谱研究了在19～48K范围内掺氮浓度为0.12%时的GaPN的NN3束缚激子与声子的耦合.直接计算了NN3束缚激子的LO,TO和TA声子伴线的黄昆因子S,除了LO声子外,得到了TO和TA声子伴线的S因子在该温度范围内对温度的依赖关系.计算表明,NN3的LO,TO和TA声子的S因子均与温度无关,说明NN 3的LO,TO和TA声子伴线与它们的零声子线具有相同的温度依赖关系,符合黄昆的多声子光跃迁理论.
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| 关 键 词： | GaPN 光致发光 等电子陷阱 |
Exciton-Phonon Coupling of NN3 Center in Heavily Nitrogen Doped GaP |
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| Abstract: | Under heavy nitrogen doping,due to the "concentration quenching" effect ,the full spectrum of the NN3 center is revealed without the interference from the spectra of other higher energy centers. This investigation offers a direct proof for that all the phonon replicas are the phonon sidebands governed by the Huang-Rhys' multiphonon optical transition theory. |
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| Keywords: | GaPN photoluminescence isoelectronic impurity |
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