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垂直布里奇曼法生长CdZnTe晶体时固液界面形状的控制
引用本文:李万万,桑文斌,闵嘉华,郁芳,张斌,王昆黍,曹泽淳. 垂直布里奇曼法生长CdZnTe晶体时固液界面形状的控制[J]. 半导体学报, 2004, 25(5)
作者姓名:李万万  桑文斌  闵嘉华  郁芳  张斌  王昆黍  曹泽淳
作者单位:上海大学材料科学与工程学院,电子信息材料系,上海,201800
摘    要:采用有限元法对探测器材料CdZnTe的晶体生长过程进行了热分析,研究了不同因素对生长过程中固液界面形状的影响.模拟结果表明,当坩埚下降速度约为1mm/h时,可获得接近水平的固-液界面.晶体生长实验结果与计算机模拟的结论基本一致.因此,通过适当选择和调节坩埚下降速度可获得高质量晶体.

关 键 词:CdZnTe  垂直布里奇曼法  有限元法

Controlling Solid-Liquid Interface Configuration During Crystal Growth of CdZnTe by Vertical Bridgman Method
Abstract:
Keywords:
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