| 氮对直拉硅片中氧沉淀分布的影响 |
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| 引用本文： | 崔灿,杨德仁,马向阳,余学功,李立本,阙端麟.氮对直拉硅片中氧沉淀分布的影响[J].半导体学报,2004,25(8). |
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| 作者姓名： | 崔灿 杨德仁 马向阳 余学功 李立本 阙端麟 |
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| 作者单位： | 浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，国家自然科学基金，国家高技术研究发展计划(863计划) |
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| 摘 要： | 研究了氮在退火过程中对直拉硅片中的氧沉淀分布的影响.实验结果表明,三步退火后在掺氮硅片截面形成特殊的M形的氧沉淀密度分布,即表面形成没有氧沉淀的洁净区(DZ),体内靠近DZ区域形成高密度、小尺寸的氧沉淀,而在硅片的中心处形成低密度、大尺寸的氧沉淀.分析认为,由于在第一步高温退火过程中氮在硅片表面外扩散,同时在硅片体内促进氧沉淀,改变了间隙氧的分布,从而导致在随后的热处理过程中氧沉淀的特殊分布行为.
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| 关 键 词： | 掺氮 直拉硅 氧沉淀 退火 |
Effect of Nitrogen on Oxygen Precipitate Profile in Czochralski Silicon Wafer |
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