| Si基片上掺Ge SiO2的火焰水解法制备 |
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| 引用本文： | 郜定山,李建光,王红杰,安俊明,李健,夏君磊,胡雄伟. Si基片上掺Ge SiO2的火焰水解法制备[J]. 半导体学报, 2004, 25(6) |
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| 作者姓名： | 郜定山 李建光 王红杰 安俊明 李健 夏君磊 胡雄伟 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所,光电子研究发展中心,北京,100083;中国科学院半导体研究所,光电子研究发展中心,北京,100083;中国科学院半导体研究所,光电子研究发展中心,北京,100083;中国科学院半导体研究所,光电子研究发展中心,北京,100083;中国科学院半导体研究所,光电子研究发展中心,北京,100083;中国科学院半导体研究所,光电子研究发展中心,北京,100083;中国科学院半导体研究所,光电子研究发展中心,北京,100083 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，国家重点基础研究发展计划(973计划) |
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| 摘 要： | 用火焰水解法在单晶Si片上沉积了掺Ge的SiO2(GeO2-SiO2)粉末,随后在高温炉中将此粉末烧结成玻璃.用光学显微镜观察了样品表面形貌,研究了不同的烧结工艺对样品形貌的影响.用X射线光电子能谱检测了样品的元素组成,并用棱镜耦合法测量了样品的折射率和厚度.结果表明,用适宜的工艺条件制备出的掺Ge的SiO2具有表面平整光滑,折射率和厚度可调等优点,适合用作Si基SiO2波导器件的芯层.
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| 关 键 词： | 火焰水解 SiO2 GeO2 折射率 光波导 |
Flame Hydrolysis Deposition of Germanium Doped Silicaon Silicon Substrate |
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