| 利用GaAs基上InGaAs应变层制备有序排列的InAs量子点 |
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| 引用本文： | 张春玲,赵凤瑷,徐波,金鹏,王占国. 利用GaAs基上InGaAs应变层制备有序排列的InAs量子点[J]. 半导体学报, 2004, 25(12) |
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| 作者姓名： | 张春玲 赵凤瑷 徐波 金鹏 王占国 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所,半导体材料开放实验室,北京,100083 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划)，国家自然科学基金，国家高技术研究发展计划(863计划) |
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| 摘 要： | 在GaAs基In x Ga1-xAs( x =0.15)应变层上生长了InAs 量子点(QD)层,通过分析各层之间的应力状况和位错的演变过程,配合生长过程中对反射式高能电子衍射仪(RHEED)实时监测,并观察生长后的表面形貌,发现可以通过控制应变层厚度来控制应变层表面布纹结构的宽度,而且在应变层厚度低于位错增殖的临界厚度时布纹宽度较窄.如果同时控制QD层在刚刚出点,则QD主要沿着较窄的布纹结构排列,从而得到有序排列的QD.
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| 关 键 词： | Ⅲ-Ⅴ族半导体材料 应力 量子点 有序生长 |
Ordering Growth of InAs Quantum Dots with Ultra-Thin InGaAs Strained Layer on GaAs Substrates |
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