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| 薄栅氧高压CMOS器件研制 | |
| 引用本文： | 刘奎伟,韩郑生,钱鹤,陈则瑞,于洋,仙文岭,饶竞时. 薄栅氧高压CMOS器件研制[J]. 半导体学报, 2004, 25(5) |
| 作者姓名： | 刘奎伟 韩郑生 钱鹤 陈则瑞 于洋 仙文岭 饶竞时 |
| 作者单位： | 1. 中国科学院微电子中心,北京,100029 2. 中国科学院微电子中心,北京,100029;北京首科微电子工业研发中心有限公司,北京,100029 3. 首钢日电电子有限公司,北京,100041 |
| 摘 要： | 研制了与0.5μm标准CMOS工艺完全兼容的薄栅氧高压CMOS器件.提出了具体的工艺制作流程-在标准工艺的基础上添加两次光刻和四次离子注入工程,并成功进行了流片试验.测试结果显示,高压NMOS耐压达到98V,高压PMOS耐压达到-66V.此结构的高压CMOS器件适用于耐压要求小于60V的驱动电路. |
| 关 键 词： | 0.5μm 高压CMOS 高低压兼容 CMOS工艺 驱动电路 |
Fabrication of Thin Gate Oxide High-Voltage CMOS |
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