| 用于SiGe HBT器件的UHV/CVDn-型硅外延研究 |
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| 引用本文： | 黄文韬,陈长春,李希有,沈冠豪,张伟,刘志弘,陈培毅,钱佩信.用于SiGe HBT器件的UHV/CVDn-型硅外延研究[J].半导体学报,2004,25(12):1666-1671. |
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| 作者姓名： | 黄文韬 陈长春 李希有 沈冠豪 张伟 刘志弘 陈培毅 钱佩信 |
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| 作者单位： | 清华大学微电子学研究所,北京,100084;清华大学微电子学研究所,北京,100084;清华大学微电子学研究所,北京,100084;清华大学微电子学研究所,北京,100084;清华大学微电子学研究所,北京,100084;清华大学微电子学研究所,北京,100084;清华大学微电子学研究所,北京,100084;清华大学微电子学研究所,北京,100084 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划) |
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| 摘 要： | 利用超高真空化学气相淀积(UHV/CVD)设备,在掺As n+型Si衬底上生长了掺P n-型Si外延层.用扩展电阻法分析了在不同的生长温度和PH3气体流量下生长的Si外延层的过渡区厚度.结果表明,生长温度对n+-Si衬底的As外扩有明显影响,在700℃下生长的Si外延层的过渡区厚度为0.16μm,而在500℃下仅为0.06μm,且杂质分布非常陡峭.X射线双晶衍射分析表明在700℃下生长的Si外延层的质量很高.制作的锗硅异质结晶体管(SiGe HBT)的击穿特性很硬,击穿电压为14.5V,在 V CB =14.0V下的漏电流仅为0.3μA;输出特性很好,在 V CE =5V, I C=3mA时的放大倍数为60.
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| 关 键 词： | UHV/CVD 硅外延 杂质分布 SiGe HBT |
UHV/CVD n--Type Silicon Epitaxy Used for SiGe HBT Device |
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| Keywords: | |
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