深亚微米设计中天线效应的消除 |
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引用本文: | 杨旭,黄令仪,叶青,周玉梅. 深亚微米设计中天线效应的消除[J]. 半导体学报, 2004, 25(7) |
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作者姓名: | 杨旭 黄令仪 叶青 周玉梅 |
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作者单位: | 中国科学院微电子研究所,北京,100029 |
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摘 要: | 分析了PAE效应(process antenna effect)的成因,并在此基础上提出了几种在深亚微米ASIC设计中消除PAE效应的方法.其方法应用于"龙芯-I CPU"的后端设计,保证了投片的一次成功.
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关 键 词: | PAE效应 等离子 栅氧化层 可靠性 |
Solution of Process Antenna Effect in Deep-Submicron Design |
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Abstract: | |
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Keywords: | |
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