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深亚微米设计中天线效应的消除
引用本文:杨旭,黄令仪,叶青,周玉梅. 深亚微米设计中天线效应的消除[J]. 半导体学报, 2004, 25(7)
作者姓名:杨旭  黄令仪  叶青  周玉梅
作者单位:中国科学院微电子研究所,北京,100029
摘    要:分析了PAE效应(process antenna effect)的成因,并在此基础上提出了几种在深亚微米ASIC设计中消除PAE效应的方法.其方法应用于"龙芯-I CPU"的后端设计,保证了投片的一次成功.

关 键 词:PAE效应  等离子  栅氧化层  可靠性

Solution of Process Antenna Effect in Deep-Submicron Design
Abstract:
Keywords:
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