低温注入硅片中的锗在快速热处理后的再分布 |
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引用本文: | 肖清华,屠海令.低温注入硅片中的锗在快速热处理后的再分布[J].半导体学报,2004,25(11). |
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作者姓名: | 肖清华 屠海令 |
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作者单位: | 北京有色金属研究总院,国家半导体材料工程研究中心,100088,北京 |
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摘 要: | 大剂量(4×1016cm-2)的Ge离子在77K低温下被注入于(100)硅片中,并结合随后的1080℃快速热处理(RTP)以形成Si/SiGe异质结构.用卢瑟福背散射技术和二次离子质谱技术研究注锗硅片退火前后Ge的分布.结果表明,快速热处理退火不仅能使注锗硅片发生固相外延生长,表层形成合金层,而且导致Ge向表面的质量运输.最终出现平台式的Ge分布形态.快速热处理后Ge这种再分布被认为有利于提高HBT的增益和获得表面应变沟道.
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关 键 词: | 硅锗合金 低温离子注入 快速热处理 卢瑟福背散射技术 二次离子质谱技术 |
Redistribution of Ge Incorporated into Silicon Through Cryogenic Implantation After RTP |
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Abstract: | |
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