| 包含衬底电流的LDD MOSFET输出I-V特性的经验模型分析 |
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| 引用本文： | Yu Chunli,Hao Yue,Yang Lin'an,于春利,郝跃,杨林安. 包含衬底电流的LDD MOSFET输出I-V特性的经验模型分析[J]. 半导体学报, 2004, 25(7) |
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| 作者姓名： | Yu Chunli Hao Yue Yang Lin'an 于春利 郝跃 杨林安 |
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| 作者单位： | Institute of Microelectronics,Xidian University,Xi'an,710071,China;西安电子科技大学微电子研究所,西安,710071 |
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| 摘 要： | 采用双曲正切函数的经验描述方法和器件物理分析方法,建立了适用于亚微米、深亚微米的LDD MOSFET输出I-V特性解析模型,模型中重点考虑了衬底电流的作用.模拟结果与实验有很好的一致性.该解析模型计算简便,对小尺寸器件中的热载流子效应等能够提供较清晰的理论描述,因此适用于器件的优化设计及可靠性分析.
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| 关 键 词： | 轻掺杂漏MOS场效应管 衬底电流 热载流子效应 深亚微米 |
A Novel Empirical Model of I-V Characteristics for LDD MOSFET Including Substrate Current |
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| Keywords: | LDD MOSFET substrate current hot carrier effect deep submicron |
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