新型双异质结双平面掺杂功率PHEMT |
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引用本文: | 陈震,和致经,魏珂,刘新宇,吴德馨.新型双异质结双平面掺杂功率PHEMT[J].半导体学报,2004,25(4). |
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作者姓名: | 陈震 和致经 魏珂 刘新宇 吴德馨 |
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作者单位: | 中国科学院微电子中心,北京,100029 |
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摘 要: | 设计并制作了双异质结双平面掺杂的Al0.24Ga0.76As/In0.22Ga0.78As/Al0.24Ga0.76As功率PHEMT器件,采用双选择腐蚀栅槽结构,有效提高了PHEMT器件的输出电流和击穿电压.对于1μm栅长的器件,最大输出电流为500mA/mm,跨导为275mS/mm,阈值电压为-1.4V,最大栅漏反向击穿电压达到了33V.研究结果表明,在栅源间距一定时,栅漏间距对于器件的输出电流、跨导和击穿电压有很大关系,是设计功率PHEMT的关键之一.
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关 键 词: | PHEMT 双平面掺杂 双选择腐蚀栅槽 击穿电压 |
A New Kind of Double Heterojunction Double Planar Doped Power PHEMTs |
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