| 钝化边的制作及其对不同尺寸自对准InGaP/GaAs HBT性能的影响 |
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| 引用本文： | 郑丽萍,刘新宇,袁志鹏,孙海锋,和致经,吴德馨.钝化边的制作及其对不同尺寸自对准InGaP/GaAs HBT性能的影响[J].半导体学报,2004,25(3). |
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| 作者姓名： | 郑丽萍 刘新宇 袁志鹏 孙海锋 和致经 吴德馨 |
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| 作者单位： | 中国科学院微电子中心,北京,100029 |
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| 摘 要： | 采用全耗尽的InGaP材料在基区GaAs表面形成钝化边(passivation ledge)的方法,研制出了带钝化边的自对准InGaP/GaAs异质结双极晶体管(HBT).通过对不同尺寸、有无钝化边器件性能的比较得出:钝化边对提高小尺寸器件的直流增益有明显效果,对器件的高频特性无明显影响.此外,钝化边的形成改善了所有实验器件的长期可靠性.
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| 关 键 词： | 钝化边 直流增益 异质结双极晶体管 |
Passivation Ledge Fabrication and Its Effect on Performance of Self-Aligned InGaP/GaAs HBT with Variety of Emitter Sizes |
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