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顶发光单色绿光OLED微型显示器件发光层掺杂特性研究
作者单位:;1.云南北方奥雷德光电科技股份有限公司;2.昆明物理研究所
摘    要:本文设计了一种磷光顶发射结构制备单色高亮绿光OLED微型显示器件,器件结构为:ITO/2-TNATA/NPB/MCP:Ir(ppy)_3/Bphen/LiF/Mg:Ag。为获得低功耗、高亮度的绿光OLED微型显示器件,采用开口率大、益于集成的顶发射结构器件,并对发光层掺杂机制进行实验研究,通过改变掺杂比例获得较佳的器件性能。研究表明,在掺杂比分别为1.0%、1.5%、1.8%、2.0%、2.3%、2.5%的绿光OLED器件中,2.0%的掺杂器件较其他比例的性能更优,通过进一步优化掺杂研究显示,发光层主体材料MCP与掺杂料Ir(ppy)_3的最佳掺杂比例为1:0.02,主体材料薄膜厚度为250?。在20 mA/cm~2的电流密度下,得到器件电压为3.62 V,亮度为4622 cd/cm~2,色坐标(X,Y)为(0.33,0.61)。

关 键 词:单色绿光  顶发射OLED微型显示器  发光层  光电特性

Research on the Performance of Luminescent Layer Doping in Top Emitting Monochrome Green OLED Micro-displays
Abstract:
Keywords:
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