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| 高均匀性高选择性的多晶硅刻蚀工艺 | |
| 引用本文： | 华亚平,朱袁正.高均匀性高选择性的多晶硅刻蚀工艺[J].微电子技术,1994,22(2):21-25,33. |
| 作者姓名： | 华亚平 朱袁正 |
| 作者单位： | 中国华晶电子集团公司MOS事业部!无锡214061 |
| 摘 要： | 作者采用HCl和HBr作为刻蚀气体，在Tegal1611设备上刻蚀Poly－Si，研究了工艺条件，如压力、功率等对工艺结果的影响，得到了相当好的工艺结果，并成功地应用于125mm晶片MOS电路的大生产中。 |
| 关 键 词： | 多晶硅 刻蚀 工艺 均匀性 选择性 |
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