| C波段8W功率GaAs MESFET的设计和制作技术 |
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| 引用本文： | 顾聪,刘佑宝. C波段8W功率GaAs MESFET的设计和制作技术[J]. 微电子学, 2001, 31(4): 307-312 |
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| 作者姓名： | 顾聪 刘佑宝 |
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| 作者单位： | 西安微电子技术研究所, |
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| 摘 要： | 采用自行研制的两只C波段5．2－5．8GHz 4W以上的GaAs MESFET功率营芯，通过设计适当的匹配网络、优化网络元件参数，结合工艺制作技术，实现了C波段5．2－5．8GHz 8W GaAs MESFET功率管。该功率管在5．2－5．8GHz频带内的功率增益约为7．0dB，1dB的压缩功率约为39dBm，功率附加效率约为30％。功率管的测量值与计算值基本吻合。
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| 关 键 词： | MESFET 场效应晶体管 C波段 砷化镓 |
| 文章编号： | 1004-3365(2001)04-0307-06 |
| 修稿时间： | 2000-09-11 |
Design and Fabrication of C-Band 8-W GaAs MESFET's |
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| GU Cong,LIU You bao. Design and Fabrication of C-Band 8-W GaAs MESFET's[J]. Microelectronics, 2001, 31(4): 307-312 |
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| Authors: | GU Cong LIU You bao |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | GaAs MESFET High power transistor Microwave device |
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