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| InP上等离子增强化学汽相淀积SiO_2膜及其MIS结构C-V特性研究 | |
| 作者姓名： | 江若琏 徐俊明 刘青淮 王凯 郑有炓 |
| 作者单位： | 南京大学物理系(江若琏，徐俊明，刘青淮，王凯)，南京大学物理系(郑有■) |
| 摘 要： | 本文研究了利用正硅酸乙酯在InP上等离子增强化学汽相淀积SiO_2膜的方法.研究了InP表面处理对SiO_2-InP界面的影响.测量分析了SiO_2膜的性质,InP-MIS结构的C-V特性及其滞后、频散效应.结果指出,用这种方法可获得性能较好的SiO_2膜和SiO_2-InP界面. |
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