| 超高压成型与无压烧结制备细晶碳化硅陶瓷 |
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| 引用本文： | 徐光亮,宋春军,曹林洪,熊昆.超高压成型与无压烧结制备细晶碳化硅陶瓷[J].硅酸盐学报,2008,36(11). |
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| 作者姓名： | 徐光亮 宋春军 曹林洪 熊昆 |
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| 作者单位： | [1]西南科技大学新材料研究所,材料科学与工程学院,四川绵阳621010 [2]中国科学院合肥物质研究院固体物理研究所,合肥230031 |
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| 基金项目： | 国防科技应用基础研究基金 |
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| 摘 要： | 借助两面顶超高压设备,通过冷等静压和超高压成型制备了相对致密度>60%的SiC陶瓷生体.在低压流动氮气保护下,无压烧结获得了晶粒尺寸在200 nm左右的高致密的SiC陶瓷.利用扫描电镜、X射线衍射对烧结体的断面形貌和相组分进行分析.结果表明:超高压处理能够提高坯体及烧结体的致密度,并有助于抑制晶粒的长大.添加12%烧结助剂Al2O3(平均粒度约为80 nm)和Y2O3(平均粒度约为50 nm)],经4.5 GPa,6 min超高压成型的SiC样品,在1 850℃或1 900 ℃烧结0.5h后的相对密度分别达到95.3%和98.3%.这种样品的烧结致密化机制为Y3Al5O12液相烧结.
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| 关 键 词： | 碳化硅 超高压成型 无压烧结 |
FINE GRAIN SILICON CARBIDE CERAMICS PREPARED BY ULTRAHIGH PRESSURE COMPACTING AND PRESSURELESS SINTERING |
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| XU Guangliang,SONG Chunjun,CAO Linhong,XIONG Kun.FINE GRAIN SILICON CARBIDE CERAMICS PREPARED BY ULTRAHIGH PRESSURE COMPACTING AND PRESSURELESS SINTERING[J].Journal of The Chinese Ceramic Society,2008,36(11). |
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| Authors: | XU Guangliang SONG Chunjun CAO Linhong XIONG Kun |
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