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| 碲镉汞体晶体生长技术 | |
| 引用本文： | 宋炳文.碲镉汞体晶体生长技术[J].红外与激光工程,1990(1). |
| 作者姓名： | 宋炳文 |
| 作者单位： | 昆明物理研究所 |
| 摘 要： | 本文把各种碲镉汞晶体生长技术分成体晶体生长和薄膜晶体生长两大类.着重叙述了一些目前采用较多的体晶体生长技术,简要说明组分均匀度、电学特性等参数已达到的水平和这些方法的优缺点.增量淬火—再结晶技术和移动加热器法为生长优质、大面积碲镉汞体晶体展示出可喜的前景. |
| 关 键 词： | 晶体生长 碲镉汞 Ⅱ-Ⅳ族化合物 |
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