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日本新研制大容量半导体开关元件成功
引用本文:周立宪 ,周振清.日本新研制大容量半导体开关元件成功[J].半导体技术,1988(4).
作者姓名:周立宪  周振清
摘    要:日本明治大学松濑教授研制成功电力变换用的控制极关闭(gateturn-off,即GTO)半导体开关元件(thyristor),已由明电舍生产.它的特点是,能对5千伏/4千5百安培以及9千伏/1千安培等大电力用作开关元件.

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