纳米硅量子点的自组织形成及其量子效应 |
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引用本文: | 高文秀,刘继伟,高鹏,郭先清.纳米硅量子点的自组织形成及其量子效应[J].纳米科技,2004,1(6):23-26. |
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作者姓名: | 高文秀 刘继伟 高鹏 郭先清 |
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摘 要: | 用减压气相淀积法(LPCVD),在二氧化硅以及石英基板上自组织形成了高密度的(10^11cm^-2)纳米尺寸的半球状硅单晶粒(硅量子点),并进一步利用自组织生成的硅量子形成具有悬浮栅极的MOS单元,验证了硅量子点的量子效应。
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关 键 词: | LPCVD 自组织形成 悬浮栅极 MOS单元 纳米硅量子点 量子效应 |
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