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功率半导体器件芯片背面多层金属层技术
作者姓名:贾松良
作者单位:清华大学微电子学研究所
摘    要:本文阐述了功率半导体器件芯片背面需要多层金属层,才能满足芯片和底座间电学和散热的要求。讨论了多层金属层分布的选择原则和制备中的注意事项。表明该技术具有重大的经济效益。

关 键 词:功率 半导体器件 芯片 金属层技术
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