一款基于GaAs工艺的改进型Wilkinson功率分配器芯片

对传统Wilkinson功率分配器的设计方式进行改进，使用蛇形环绕式结构取代传统的微带线结构，并在功分器隔离电阻处引入了频率补偿电容，基于砷化镓（GaAs）工艺，借助ADS软件设计并制作了一款新型结构的小型化超宽带一分二Wilkinson功率分配器芯片。芯片实物测试结果表明，在通带4～20 GHz内，插入损耗典型值为0.65 dB，端口回波损耗典型值为20 dB，端口隔离度典型值达到25 dB，芯片尺寸仅为1.0 mm×0.9 mm×0.1 mm。该功率分配器的实测结果与仿真结果相吻合，电特性优良，具有较高的实用价值。