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TMS32010外扩64K×16位存储器接口电路设计
引用本文:王翔.TMS32010外扩64K×16位存储器接口电路设计[J].数据采集与处理,1992(4).
作者姓名:王翔
作者单位:深圳深宁电气联合公司
摘    要:本文介绍了一种TMS32010外部存储嚣扩充的接口电路。该电路中利用可编程D触发器有效地克服了TMS32010的局限性,使外扩空间达到了64K×16位,具有硬件电路简单,寻址速度快,可随意访问64K×16位存储空间等特点。进一步提高了TMS32010进行信号处理和构成独立系统的能力。这对于开发使用TMS32010芯片的用户具有一定的实用参考价值。

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