HgCdTe IR-CCD焦平面增益不均匀性及非线性的补偿 |
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引用本文: | 顾洪武.HgCdTe IR-CCD焦平面增益不均匀性及非线性的补偿[J].红外与激光工程,1989(1). |
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作者姓名: | 顾洪武 |
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摘 要: | IR-CCD 阵列通常需要对阵列中各单元探测器之间的增益变化效应和偏移变化效应进行补偿。线性补偿技术不能完全满足焦平面要求,这是由于焦平面表现出较大的非线性响应,这种响应率是与阈值光通量及饱和光通量的数量级变化相关的。在混合型 CCD 中,特别是当 HgCdTe 作为探测器材料时,通常会出现这种情况。本文报告了一种应用于 HgCdTe IR-CCD 焦平面上的多点分段折线补偿方案。这种技术可使补偿后的响应按有效计算方式得到。给出了校正点数目和残余固有图象噪声数量之间的实验关系,并与以前的分析模型进行了比较。
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关 键 词: | 电荷耦合器件 电荷转移器件 碲镉汞 平面性 不均匀性 非线性 补偿 平场实验 |
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