| 调制掺杂Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结中Al_xGa_(1-x)N势垒层表面态及其他局域态性质研究 |
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| 引用本文： | 刘杰,沈波,周玉刚,周慧梅,郑泽伟,张荣,施毅,郑有炓. 调制掺杂Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结中Al_xGa_(1-x)N势垒层表面态及其他局域态性质研究[J]. 半导体学报, 2003, 24(8): 822-826 |
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| 作者姓名： | 刘杰 沈波 周玉刚 周慧梅 郑泽伟 张荣 施毅 郑有炓 |
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| 作者单位： | 南京大学物理系 南京210093(刘杰，沈波，周玉刚，周慧梅，郑泽伟，张荣，施毅)，南京大学物理系 南京210093(郑有炓) |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究专项基金 (No .G2 0 0 0 0 683 )，国家自然科学基金(批准号 :60 13 60 2 0 ,60 2 760 3 1)，国家高科技发展计划 (No .2 0 0 2AA3 0 5 3 0 4)资助项目~~ |
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| 摘 要： | 通过测量调制掺杂Al0 2 2 Ga0 78N/GaN异质结样品的变频电容电压(C V)特性,对Al0 2 2 Ga0 78N势垒层表面态的性质进行了研究.结果发现在小偏压下,样品的电容随着测量信号频率的增加而下降,说明势垒层中存在表面态.实验数据分析表明:表面态密度约为10 13 cm-2 量级,表面态的时间常数比势垒层中其他局域态大.随着空间隔离层厚度的增加,势垒层中其他局域态密度随之增加.在金属电极和Al0 2 2 Ga0 78N势垒层之间加入Si3 N4绝缘层可以对表面态起到显著的钝化作用,使表面态密度降为～10 12 cm-2 量级
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| 关 键 词： | Ⅲ族氮化物 调制掺杂异质结构 势垒层 表面态 |
Surface States and Other Local States in Al_xGa_(1-x)N Barriers of Modulation-Doped Al_xGa_(1-x)N/GaN Heterosturctures |
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| Liu Jie,Shen Bo,Zhou Yugang,Zhou Huimin,Zheng Zewei,Zhang Rong,Shi Yi and Zheng Youdou. Surface States and Other Local States in Al_xGa_(1-x)N Barriers of Modulation-Doped Al_xGa_(1-x)N/GaN Heterosturctures[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2003, 24(8): 822-826 |
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| Authors: | Liu Jie Shen Bo Zhou Yugang Zhou Huimin Zheng Zewei Zhang Rong Shi Yi Zheng Youdou |
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