| SOI动态阈值MOS器件结构改进 |
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| 引用本文： | 宋文斌,毕津顺,韩郑生. SOI动态阈值MOS器件结构改进[J]. 微电子学, 2009, 39(2) |
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| 作者姓名： | 宋文斌 毕津顺 韩郑生 |
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| 作者单位： | 中国科学院,微电子研究所,北京,100029 |
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| 基金项目： | 国家基础研究重大项目 |
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| 摘 要： | 传统SOI DTMOS器件固有的较大体电阻和体电容严重影响电路的速度特性,这也是阻碍SOI DTMOS器件应用于大规模集成电路的最主要原因之一.有人提出通过增大硅膜厚度的方法减小器件体电阻,但随之而来的寄生体电容的增大严重退化了器件特性.为了解决这个问题,提出了一种SOI DTMOS新结构,该器件可以分别优化结深和硅膜的厚度,从而获得较小的寄生电容和体电阻.同时,考虑到沟道宽度对体电阻的影响,将该结构进一步优化,形成侧向栅-体连接的器件结构.ISE-TCAD器件模拟结果表明,较之传统SOI DTMOS器件,该结构的本征延时和电路延时具有明显优势.
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| 关 键 词： | 绝缘体上硅 动态阈值场效应管 体电容 体电阻 |
Improvement on SOI DTMOSFET Structure |
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| SONG Wenbin,BI Jinshun,HAN Zhengsheng. Improvement on SOI DTMOSFET Structure[J]. Microelectronics, 2009, 39(2) |
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| Authors: | SONG Wenbin BI Jinshun HAN Zhengsheng |
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| Affiliation: | Institute of Microelectronics;The Chinese Academy of Sciences;Beijing 100029;P.R.China |
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| Abstract: | The performance of partially depleted silicon-on-insulator(PDSOI)dynamic threshold MOSFET(DTMOS)devices is degraded by body capacitance and body resistance.The large body capacitance and RC delay in charging the body are serious issues in implementing SOI-DTMOS.To solve this problem,a novel SOI DTMOSFET structure(drain and source on local insulator structure) was proposed and optimized.To improve the dependence of RbCb on the value of W,a method was proposed based on the novel SOI DTMOSFET structure.From IS... |
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