在掺锡的砷化镓外延层和掺铬的衬底之间的界面上观察到的形变层

用稍加改进的 Abrahams-Buiocchi 腐蚀剂进行室温光刻技术,可容易地观测到在〔110〕解理面的 GaAs 外延层中存在着界面形变层。试验主要限于汽相生长的 GaAs 样品,样品由掺铬的半绝缘衬底和0.4微米厚的掺锡外延层〔n(?)(6～10)×10~(16)厘米~(-3)〕组成。生成形变层的起因是:生长前预热阶段,在衬底表面产生的砷耗尽层的热应力。应变场深达衬底10微米以上,甚至进入外延层。由于应变场的存在使亚微米外延层的电子迁移率降低,但这可通过退火提高10～30%。还发现:当在衬底背面复盖一层 SiO_2膜而增加了所加的应力时,则在形变层中产生了位错。当 SiO_2膜的厚度增加时,位错密度也迅速增加,但形变层的厚度却逐渐降低。在冷却过程中,外延片周边上产生滑移位错,这是由于应力集中在片子的周边上的原因。