定向切割晶体的精密光学方法

半导体工艺中定向切割单晶是晶体加工的主要工序之一。外延层的质量和半导体激光器的工作效率都与衬底的定向精度有关。文献曾介绍过,采用浸蚀剂浸蚀晶体或研磨粉加工晶体,并根据表面上反射光线轮廓进行定向的方法。前一种方法可以达到近似于X射线法的定向精度,但由于选择合适的浸蚀剂有困难,使这种方法不能应用于任何场合。采用研磨方法时,由于光束轮廓不清,在一般情况下其定向精度低于±1°。