| 直流反应磁控溅射制备氧化铝薄膜 |
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| 引用本文： | 唐秀凤,罗发,周万城,朱冬梅. 直流反应磁控溅射制备氧化铝薄膜[J]. 热加工工艺, 2011, 40(14) |
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| 作者姓名： | 唐秀凤 罗发 周万城 朱冬梅 |
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| 作者单位： | 西北工业大学凝固技术国家重点实验室,陕西西安,710072 |
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| 摘 要： | 采用直流反应磁控溅射,以高纯Al为靶材,高纯O2为反应气体,在镍基合金和单晶硅基片上制备了氧化铝薄膜,并对氧化铝薄膜的沉积速率和表面形貌进行了研究.结果表明,氧化铝薄膜的沉积速率随溅射功率的增大先几乎呈线性增大而后增速趋缓；随溅射气压的增加,沉积速率先增大,在1.0Pa时达到峰值,而后随气压继续增大而减小；随Ar/O2流量比的不断增加,沉积速率也随之不断增大,但是随着负偏压的增大,沉积速率先急剧减小而后趋于平缓.用扫描电子显微镜对退火处理前后的氧化铝薄膜表面形貌进行观察,发现在500℃退火1h能够使氧化铝薄膜致密化和平整化.
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| 关 键 词： | 直流反应磁控溅射 氧化铝薄膜 沉积速率 退火 表面形貌 |
Aluminium Thin Film Prepared by Direct Current Reactive Magnetron Sputtering |
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| TANG Xiufeng,LUO Fa,ZHOU Wancheng,ZHU Dongmei. Aluminium Thin Film Prepared by Direct Current Reactive Magnetron Sputtering[J]. Hot Working Technology, 2011, 40(14) |
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| Authors: | TANG Xiufeng LUO Fa ZHOU Wancheng ZHU Dongmei |
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