| 水平冷壁CVD生长4H-SiC同质外延膜 |
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| 引用本文： | 高欣,孙国胜,李晋闽,赵万顺,王雷,张永兴,曾一平. 水平冷壁CVD生长4H-SiC同质外延膜[J]. 半导体学报, 2005, 26(5): 936-940 |
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| 作者姓名： | 高欣 孙国胜 李晋闽 赵万顺 王雷 张永兴 曾一平 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所材料中心 北京100083(高欣，孙国胜，李晋闽，赵万顺，王雷)，兰州大学物理学院 兰州730000(张永兴)，中国科学院半导体研究所材料中心 北京100083(曾一平) |
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| 摘 要： | 采用自行设计的水平冷壁低压化学气相沉积（LPCVD）方法在偏向〈11-20〉晶向8°的n型4H-SiC（0001）衬底上进行了同质外延生长．在5.3e3Pa的低压下，外延膜生长速率超过3μm/h．电容电压法测试表明在非有意掺杂外延膜中净施主浓度为8.4e16cm－3．Nomarski显微镜观察表明厚外延膜的表面光滑，生长缺陷密度很低．AFM测试显示表面均方根粗糙度为0.3nm，没有观察到宏观台阶结构．Raman谱线清晰锐利，表现出典型的4H-SiC特征．在低温PL谱中，近带边区域出现很强的自由激子峰，表明样品是高质量的．
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| 关 键 词： | 碳化硅；化学气相沉积；原子力显微镜；Raman；光致发光 |
| 文章编号： | 0253-4177(2005)05-0936-05 |
| 修稿时间： | 2004-06-09 |
4H-SiC Homoepitaxial Growth by Horizontal Cold-Wall Chemical Vapor Deposition |
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| Gao Xin,SUN Guosheng,Li Jinmin,Zhao Wanshun,Wang Lei,Zhang Yongxing,Zeng Yiping. 4H-SiC Homoepitaxial Growth by Horizontal Cold-Wall Chemical Vapor Deposition[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2005, 26(5): 936-940 |
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| Authors: | Gao Xin SUN Guosheng Li Jinmin Zhao Wanshun Wang Lei Zhang Yongxing Zeng Yiping |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | SiC CVD AFM Raman PL |
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