| 在超短脉冲作用下Cr掺杂GaAs的光电导性与微微秒光电子开关 |
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| 引用本文： | 朱鑫铭,陈兰荣,支婷婷. 在超短脉冲作用下Cr掺杂GaAs的光电导性与微微秒光电子开关[J]. 中国激光, 1982, 9(5): 80 |
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| 作者姓名： | 朱鑫铭 陈兰荣 支婷婷 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海光机所(朱鑫铭，陈兰荣)，中国科学院上海光机所(支婷婷) |
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| 摘 要： | 利用高阻半导体在超短光脉冲作用下的光电导性可以获得超短电脉冲,这种光电器件的上升时间快,精度高,无抖动,可直接产生数千伏高压,在微微秒技术中有许多重要应用。 本实验中,利用一台被动锁模Nd:YAG激光器,经过单脉冲挑选,放大和倍频得到1.06微米和0.53微米的单个微微秒脉冲,脉冲的能量可以在10~(-7)到10~(-3)焦耳范围内变化,并用一台高灵敏硅光电池探测器来监测每个脉冲的能量,用Cr掺杂高阻GaAs材料做成微微秒光电子开关,用快响应示波器测量开关输出电脉冲的幅度和脉宽。
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Photoconductive properties of Cr:GaAs under the action of ultrashort pulses and picosecond opto-electronic switches |
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