硅表面太赫兹抗反射亚波长结构设计 |
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引用本文: | 苟君,蒋亚东,何少伟,王军,陈鹏杰,黎威志. 硅表面太赫兹抗反射亚波长结构设计[J]. 半导体光电, 2014, 35(4): 621-624,667 |
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作者姓名: | 苟君 蒋亚东 何少伟 王军 陈鹏杰 黎威志 |
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作者单位: | 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都610054;电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都610054;电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都610054;电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都610054;电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都610054;电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都610054 |
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基金项目: | 国家自然科学基金项目(61006036, 61235006). |
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摘 要: | 亚波长结构是特征尺寸小于工作波长的连续阵列浮雕结构,可看成是一层折射率均匀的介质层,仅存在零级的透射和反射衍射。基于等效介质理论和严格耦合波理论介绍了亚波长抗反射结构。为提高111μm波长太赫兹辐射(2.7THz)的透过率,在硅表面设计了亚波长抗反射结构。该结构的透射率和反射率由其浮雕结构的周期、高度和占空比确定。利用等效介质理论和严格耦合波理论对其结构参数进行了优化设计。当周期为27μm、高度为13μm、占空比为0.75时,得到了99.05%的太赫兹辐射透过率。
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关 键 词: | 亚波长结构 严格耦合波理论 太赫兹 抗反射 |
收稿时间: | 2013-12-03 |
Design of THz Sub Wavelength Antireflective Structure on Si Surface |
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Abstract: | |
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Keywords: | sub wavelength structure rigorous coupled wave theory terahertz antireflection |
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