| CCD光刻图形缺陷的形成及消除措施 |
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| 引用本文： | 吴可,雷仁方,李佳.CCD光刻图形缺陷的形成及消除措施[J].半导体光电,2014,35(4):647-649. |
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| 作者姓名： | 吴可 雷仁方 李佳 |
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| 作者单位： | 重庆光电技术研究所,重庆400060;重庆光电技术研究所,重庆400060;重庆光电技术研究所,重庆400060 |
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| 摘 要： | 描述了CCD光刻过程中出现的常见缺陷及其分类。对光刻过程中缺陷产生的原因进行了分析,找出工艺设置和工艺操作过程中容易出现的问题;并针对各类缺陷,提出了相应的解决措施,以达到消除缺陷的目的,使工艺能力得到提升。
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| 关 键 词： | CCD 光刻 图形 缺陷 |
| 收稿时间： | 2013/11/14 |
Study on Defects in CCD Lithography and Elimination Measures |
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| Abstract: | Common defects in the lithography process of Charge Coupled Devices (CCD) were analyzed and classified accordingly. Based on analyzing the causes of the defects, the problems frequently encountered in process and operations were presented. And relevant solutions were provided for different defects. |
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| Keywords: | CCD lithography pattern defect |
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