| PECVD SiC薄膜的应力控制及抗腐蚀特性研究 |
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| 引用本文： | 郭辉,王煜,张海霞,田大宇,张国炳,李志宏.PECVD SiC薄膜的应力控制及抗腐蚀特性研究[J].中国机械工程,2005,16(Z1):346-348. |
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| 作者姓名： | 郭辉 王煜 张海霞 田大宇 张国炳 李志宏 |
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| 作者单位： | 北京大学,北京,100871 |
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| 摘 要： | 运用低温的PECVD方法进行了SiC薄膜的制备,通过改究工艺参数对SiC薄膜应力的影响,制备出低应力的SiC薄膜.研究了退火工艺、离子注入工艺对薄膜应力的影响,使得薄膜应力可控制,将无定形态的SiC变成微晶态SiC;解决了厚膜在高温退火下破裂的问题,将SiC薄膜的电阻率降低到10Ω·cm的量级.对SiC的抗腐蚀特性进行了研究,对比了多种湿法、干法对SiC的腐/刻蚀速率.成功地将制备的低应力SiC薄膜用于MEMS器件的抗腐蚀保护.
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| 关 键 词： | 微机电系统 碳化硅 等离子体增强化学气相淀积 薄膜 应力 离子注入 抗腐蚀 |
| 文章编号： | 1004-132X(2005)S1-0346-03 |
| 修稿时间： | 2005年5月5日 |
Stress Control and Anti-erosion Characteristics of PECVD SiC Thin Film |
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| Guo Hui,Wang Yu,Zhang Haixia,Tian Dayu,Zhang Guobing,Li Zhihong.Stress Control and Anti-erosion Characteristics of PECVD SiC Thin Film[J].China Mechanical Engineering,2005,16(Z1):346-348. |
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| Authors: | Guo Hui Wang Yu Zhang Haixia Tian Dayu Zhang Guobing Li Zhihong |
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