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| 多孔化PECVD硅薄膜的室温光致发光 | |
| 作者姓名： | 王燕 廖显伯 潘广勤 孔光临 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所 |
| 摘 要： | 本文采用阳极氧化腐蚀技术对等离子ＣＶＤ方法制备的微晶硅薄膜进行了多孔化处理．在室温下用Ｎ２激光激发，在多孔化微晶硅薄膜上观测到了强的可见荧光，其荧光谱中包含１．９４ｅＶ和２．８６ｅＶ两个峰．我们还对其激发谱进行了研究，发现除与跃迁有关的吸收峰（３．４ｅＶ）外，在２—３ｅＶ间还有新的吸收峰．此结果与Ｆ．Ｂｕｄａ等人最近对硅量子线的理论计算相符合． |
| 关 键 词： | 光致发光 硅 薄膜 PECVD |
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