| 三元硅化物(Co_xNi_(l-x))Si_2薄膜的制备及特性 |
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| 引用本文： | 莫鸿翔,屈新萍,茹国平,刘建海,李炳宗. 三元硅化物(Co_xNi_(l-x))Si_2薄膜的制备及特性[J]. 微细加工技术, 1999, 0(1) |
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| 作者姓名： | 莫鸿翔 屈新萍 茹国平 刘建海 李炳宗 |
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| 作者单位： | 复旦大学电子工程系，上海先进半导体公司 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金,上海市应用材料研究和发展基金 |
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| 摘 要： | 在Ｓｉ（１００）衬底上用离子束溅射方法淀积Ｎｉ，Ｃｏ，Ｔｉ薄膜，形成Ｃｏ／Ｎｉ／Ｓｉ，Ｎｉ／Ｃｏ／Ｓｉ和Ｃｏ／Ｎｉ／Ｓｉ等结构，通过氮气中快速热退火反应生成三元硅化物（ＣｏｘＮｉｌ－ｘ）Ｓｉ２。用ＡＥＳ，ＸＲＤ，ＲＢＳ沟道谱，ＳＥＭ及四探针等方法对（ＣｏｘＮｉｌ－ｘ）Ｓｉ２薄膜的物理特性和电学特性进行了测试，在Ｓｉ衬底上Ｃｏ，Ｎｉ多层膜经快速热退火可形成高电导的（ＣｏｘＮｉｌ－ｘ）Ｓｉ２薄膜，其电阻率在１５～２０μΩ·ｃｍ之间。Ｃｏ／Ｎｉ／Ｔｉ／Ｓｉ（１００）多层结构固相反应可以得到外延（ＣｏｘＮｉｌ－ｘ）Ｓｉ２薄膜。（ＣｏｘＮｉｌ－ｘ）Ｓｉ２的晶格为ＣａＦ２立方结构，晶格常数介于ＣｏＳｉ２和ＮｉＳｉ２之间。通过热处理和选择腐蚀等工艺，可在有ＣＭＯＳ图形的衬底上形成自对准的三元硅化物源漏接触和栅极互连图形。
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| 关 键 词： | 金属硅化物；快速退火；固相反应；异质外延 |
FABRICATION AND PROPERTIES OF TERNARY |
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| ASMC,Shanghai. FABRICATION AND PROPERTIES OF TERNARY[J]. Microfabrication Technology, 1999, 0(1) |
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| Authors: | ASMC Shanghai |
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| Affiliation: | (Dept of E E Fudan Univ,Shanghai200433) * ASMC,Shanghai |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Metal Silicide Rapid Thermal Annealing Solid State Reaction Hetro epitaxy |
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