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| 拓扑绝缘体HgTe纳米材料制备技术 | |
| 引用本文： | 蒋坤朋,廖雷,蒋丽,余卫平,巫朝剑,覃爱苗.拓扑绝缘体HgTe纳米材料制备技术[J].材料导报,2012,26(23). |
| 作者姓名： | 蒋坤朋 廖雷 蒋丽 余卫平 巫朝剑 覃爱苗 |
| 作者单位： | 1. 桂林理工大学材料科学与工程学院有色金属及材料加工新技术教育部重点实验室,新材料及其制备新技术广西壮族自治区重点实验室,桂林541004 2. 桂林理工大学环境科学与工程学院,桂林,541004 3. 桂林理工大学材料科学与工程学院有色金属及材料加工新技术教育部重点实验室,新材料及其制备新技术广西壮族自治区重点实验室,桂林541004;中科院福建物质结构研究所,福州350002 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金，结构化学国家重点实验室科学基金 |
| 摘 要： | 概述了近期碲化汞纳米材料的各种制备技术的研究进展,并总结了制备、技术中出现的问题。结合晶体生长机理,分析了碲化汞量子点、纳米线等典型的形貌特征。介绍了碲化汞制备技术研究中具有代表性的几个课题组的研究动向。结合本课题组的研究进展,讨论了碲化汞制备过程中碲源和汞源所存在的问题。最后展望了碲化汞的制备技术改进。 |
| 关 键 词： | 碲化汞 晶体生长 纳米材料 |
Preparation Technology of Topological Insulators HgTe Nanomaterial |
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| JIANG Kunpeng , LIAO Lei , JIANG Li , YU Weiping , WU Chaojian , QIN Aimiao.Preparation Technology of Topological Insulators HgTe Nanomaterial[J].Materials Review,2012,26(23). | |
| Authors: | JIANG Kunpeng LIAO Lei JIANG Li YU Weiping WU Chaojian QIN Aimiao |
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