| Si_(1-x)Ge_x/Si多层异质外延结构的研究 |
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| 引用本文： | 郭林,李开成,张静,刘道广,易强.Si_(1-x)Ge_x/Si多层异质外延结构的研究[J].微电子学,2000(4). |
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| 作者姓名： | 郭林 李开成 张静 刘道广 易强 |
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| 作者单位： | 模拟集成电路国家重点实验室!重庆400060(郭林，李开成，张静，易强)，信息产业部电子第二十四研究所!重庆400060(刘道广) |
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| 摘 要： | 对制作的 Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ多层异质外延结构进行了研究。并对其做了反射高能电子衍射（ＲＨＥＥＤ）、Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）和扩展电阻（ＳＲ）等测量，给出了利用这种结构研制出的异质结双极晶体管（ＨＢＴ）的输出特性曲线。
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| 关 键 词： | Si1-xGe/Si 异质外延 异质结双极晶体管 分子束外延 |
A Study on Si_(1-x)Ge_x/Si Multilayer Hetero Epitaxial Structure |
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| GUO Lin,LI Kai-cheng,ZHANG Jing,LIU Dao-guang,YI Qiang.A Study on Si_(1-x)Ge_x/Si Multilayer Hetero Epitaxial Structure[J].Microelectronics,2000(4). |
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| Authors: | GUO Lin LI Kai-cheng ZHANG Jing LIU Dao-guang YI Qiang |
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| Abstract: | A Si1-xGex/Si multilayer hetero epitaxial structure has been investigated. Reflective High Energy Electron Diffraction (RHEED),X-Ray Diffraction(XRD) and Spread Resistance (SR) measurements are made on the structure. Heterojunction bipolar transistors (HBT's )have been developed using this structure. Results of measurements are discussed. |
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| Keywords: | Si1-xGex/Si structure Hetero epitaxy Hetero bipolar transistor (HBT) Molecular beam epitaxy |
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