| 熔盐电沉积过程温度对1.6Si无取向硅钢Si扩散的影响 |
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| 引用本文： | 李慧,梁精龙,赵晓萍,李运刚,张芬萍.熔盐电沉积过程温度对1.6Si无取向硅钢Si扩散的影响[J].特殊钢,2014,35(6). |
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| 作者姓名： | 李慧 梁精龙 赵晓萍 李运刚 张芬萍 |
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| 作者单位： | 1. 河北联合大学冶金与能源学院现代冶金技术教育部重点实验室,唐山,063009
2. 河北工业职业技术学院,石家庄,050000 |
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| 摘 要： | 试验了通过NaCl-KCl-NaF-SiO_2熔盐在电流密度50 mA/cm~2、电沉积脉冲电流正反向比9:1和750~850℃60min电沉积下阴极(/mm)20×20×0.5的1.6Si无取向冷轧硅钢片断面层硅的分布,并通过计算得出Si的扩散系数。结果表明,电沉积温度由750℃提高至850℃时,试样中Si含量增加,扩散的深度由18μm提高到40μm;电沉积温度与Si在钢中的扩散系数近似符合Arrhenius指数关系。
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| 关 键 词： | 无取向硅钢 电沉积 温度 硅 扩散系数 |
Effect of Temperature on Diffusion of Si in 1.6Si Non-Oriented Silicon Steel during Molten Salt Electro-Deposit Process |
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| Li Hui,Liang Jinglong,Zhao Xiaoping,Li Yungang,Zhang Fenping.Effect of Temperature on Diffusion of Si in 1.6Si Non-Oriented Silicon Steel during Molten Salt Electro-Deposit Process[J].Special Steel,2014,35(6). |
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| Authors: | Li Hui Liang Jinglong Zhao Xiaoping Li Yungang Zhang Fenping |
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