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| 高跨导AlGaN/GaN HFET器件研究 | |
| 引用本文： | 张志国,杨瑞霞,李丽,王勇,冯震,李献杰,杨克武.高跨导AlGaN/GaN HFET器件研究[J].固体电子学研究与进展,2006,26(3):371-374. |
| 作者姓名： | 张志国 杨瑞霞 李丽 王勇 冯震 李献杰 杨克武 |
| 作者单位： | 1. 河北工业大学信息工程学院,天津,300130;中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄,050051 2. 河北工业大学信息工程学院,天津,300130 3. 中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄,050051 4. 中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄,050051;河北工业大学信息工程学院,天津,300130 |
| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划) |
| 摘 要： | 报道了蓝宝石衬底上AlGaN/GaNHFET的制备以及室温下器件的性能。器件栅长为0.8μm,源漏间距为3μm,得到器件的最大漏电流密度为0.7A/mm,最大跨导为242.4mS/mm,截止频率(fT)和最高振荡频率(fmax)分别为45GHz和100GHz。同时器件的脉冲测试结果显示,SiN钝化对大栅宽器件的电流崩塌效应不能彻底消除。 |
| 关 键 词： | AlGaN/GaN 异质结场效应晶体管 跨导 输出特性 直流特性 |
| 文章编号： | 1000-3819（2006）03-371-04 |
| 收稿时间： | 2004-12-20 |
| 修稿时间： | 2005-03-30 |
Research on AlGaN/GaN HFET with High Transconductance |
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| ZHANG Zhiguo,YANG Ruixia,LI Li,WANG Yong,FENG Zhen,LI Xianjie,YANG Kewu.Research on AlGaN/GaN HFET with High Transconductance[J].Research & Progress of Solid State Electronics,2006,26(3):371-374. | |
| Authors: | ZHANG Zhiguo YANG Ruixia LI Li WANG Yong FENG Zhen LI Xianjie YANG Kewu |
| Abstract: | The fabrication of AlGaN/GaN HFET on sapphire substrate and its properties at room temperature are reported. The gate length is 0.8 μm and the distance between source and drain is 3 μm. We have obtained a saturated current density of 0.7 A/mm, maximal transconductance of 242.4 mS/mm, and f_T of 45 GHz, f_ max of 100 GHz. Through the pulsed test, the current collapse of large gate width HFET passivated by SiN still appears. |
| Keywords: | AlGaN/GaN HFET transconductance output characteristic DC characteristic |
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